第三代半導(dǎo)體發(fā)展之碳化硅（SiC）

隨著節(jié)能減排、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)的發(fā)展，這些領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體器件的性能指標(biāo)和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作電壓、更大的電流承載能力、更高的工作頻率、更高的效率、更高的工作溫度、更強(qiáng)的散熱能力和更高的可靠性。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已經(jīng)接近其物理極限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視。技術(shù)領(lǐng)先國(guó)家和國(guó)際大型企業(yè)紛紛投入到碳化硅和氮化鎵的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化中，產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋材料、器件、模塊和應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)。